Symposium Siliziumkarbid als quanten-klassische Plattform – 75-jähriges Jubiläum des Lehrstuhls für Angewandte Physik
Siliziumkarbid (SiC) hat sich in den letzten Jahren zu einem leistungsfähigen Halbleiter entwickelt. Dies wird ermöglicht durch die Verfügbarkeit von exzellentem monokristallinen Wafermaterial und einer sich ständig verbessernden Prozesstechnologie sowie dem Verständnis der grundlegenden Material- und Bauelementphysik. SiC, epitaktisches Graphen auf SiC und SiC-Punktdefekte haben jedoch noch viel mehr zu bieten: Aufgrund der konkurrenzlosen Materialeigenschaften hat SiC auch das Potenzial für noch nie dagewesene Funktionalitäten für die integrierte Photonik, mechanische Oszillatoren mit höchsten Güten sowie quantentechnologische Anwendungen auf der Basis von Spinphysik. Diese Designmöglichkeiten erlauben nie dagewesene wissenschaftliche Experimente und Technologien.
In diesem wissenschaftlichen Symposium werden wir in diesem Sinne jüngste Forschungsergebnisse im Bereich der Elektronik, Optik, Mechanik und Spinphysik diskutieren, um eine Plattform für quanten-klassische Funktionalität zu schaffen.
Mit dem Symposium wird gleichzeitig das 75-jährige Jubiläum des Lehrstuhls für Angewandte Physik der FAU gefeiert, der einen bedeutenden und langjährigen Beitrag zur Entwicklung der heutigen SiC-Materialplattform und Technologie geleistet hat.
Weitere Informationen finden Sie auf der Website des Symposiums (Englisch).